Главная страница
Медицина
Экономика
Финансы
Биология
Сельское хозяйство
Ветеринария
Юриспруденция
Право
Языки
Языкознание
Философия
Логика
Этика
Религия
Социология
Политология
История
Информатика
Физика
Вычислительная техника
Математика
Искусство
Культура
Энергетика
Промышленность
Химия
Связь
Электротехника
Автоматика
Геология
Экология
Строительство
Механика
Начальные классы
Доп
образование
Воспитательная работа
Русский язык и литература
Классному руководителю
Другое
Дошкольное образование
Казахский язык и лит
Физкультура
Школьному психологу
Технология
География
Директору, завучу
Иностранные языки
Астрономия
Музыка
ОБЖ
Социальному педагогу
Логопедия
Обществознание

Тест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В.). Тест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В. Тесты по электронике


Скачать 15.23 Mb.
НазваниеТесты по электронике
АнкорТест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В.).doc
Дата24.02.2017
Размер15.23 Mb.
Формат файлаdoc
Имя файлаТест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В.).doc
ТипТесты
#3069
КатегорияЭлектротехника. Связь. Автоматика
страница2 из 7
1   2   3   4   5   6   7

Ответ: тепловой


17. Участок III на ВАХ полупроводникового диода называется __________(прил.) пробой


Ответ: лавинный


18. Указанные элементы имеют следующие названия:



1.

а) полевой транзистор p-типа

2.

б) диод

3.

в) биполярный транзистор p-n-pтипа

4.

г) стабилитрон

5.

д) биполярный транзистор n-p-nтипа


Ответ:1б; 2г; 3в; 4д; 5а
19. Биполярные транзисторы имеют ______ p-nперехода
Ответ: 2, два
20. Электропроводность в полупроводниковом элементе обусловлена наличием ___________ (прил.) носителей заряда.

Ответ: несвязанных, свободных



21. Неуказанным на рисунке химическим элементом является:


Si; P; B; Ge; C.
Ответ: Si


22. Неуказанным на рисунке химическим элементом является:



Si; P; B; Ge; C.
Ответ: B
23. Неуказанным на рисунке химическим элементом является:


Si; P; B; Ge; C.
Ответ: P

24. Приведена схема включения n-p-nтранзистора с общим эмиттером. Правильное направление токов указано на рисунке:


1.



2.



3.




Ответ: 2
25. Приведена схема включения n-p-nтранзистора с общей базой. Правильное направление токов указано на рисунке:


1.



2.



3.




Ответ: 1
26. Нормальный режим работы транзистор обеспечивается подключением источников напряжения, показанным на схеме:


1.



2.



3.




Ответ: 1
27. Нормальный режим работы транзистор обеспечивается подключением источников напряжения, показанным на схеме:


1.



2.



3.





Ответ: 3

28. Формула, описывающая полную величину тока через коллекторный переход, имеет вид:
1. Iк = Iэ + Iкб0

2. Iк = Iэ Iкб0

3. Iк = (1–)Iэ Iкб0

4. Iк = Iэ

5. Iк = Iэ + Iб
Ответ: 1

29. В биполярном p-n-p транзисторе коллекторный и базовый токи связаны следующим соотношением:
1. Iк = Iб

2.Iк = Iб

3. Iк = ( –1)Iб

4.

5. Iк = Iэ
Ответ: 4
30. В биполярном p-n-p транзисторе коллекторный и базовый токи связаны следующим соотношением:
1.

2.Iк = Iб

3. Iк = Iб

4. Iк = ( –1)Iб

5. Iк = Iэ
Ответ: 1
31. Для обеспечения работы p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, в нормальном активном режиме, коллекторный и базовый переходы должны быть смешены в следующих направлениях:
1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом

2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом

3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном

4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном
Ответ: 4
32. Режим насыщения для p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, осуществляется при смешении коллекторного и базового переходов в следующих направлениях:
1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом

2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом

3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном

4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном
Ответ: 1
33. Для обеспечения работы p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, в режиме насыщения, коллекторный и базовый переходы должны быть смешены в следующих направлениях:
1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом

2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом

3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном

4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном
Ответ: 3
34. Режим отсечки для p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, осуществляется при смешении коллекторного и базового переходов в следующих направлениях:
1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом

2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом

3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном

4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном
Ответ: 2

35. Элементом «N» выходной (коллекторной) ВАХ p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером является:



1.Iэ, мА

2.Iб, мА

3. Uбэ, В

4.UкэН, В

5. Iкб0, мА
Ответ: 5
36. Элементом «N» входной (эмиттерной) ВАХ p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером является:


1.Uкэ, В

2.Iэ, мА

3.UкэUкэН

4.Iк, мА

5.Iкб0, мА
Ответ: 1
37. Элементом «N» входной (эмиттерной) ВАХ p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером является:


1.Uкэ, В

2.Iэ, мА

3.UкэUкэН

4.Iк, мА

5.Iкб0, мА
Ответ: 3
38. Элементом «N» входной (эмиттерной) ВАХ p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером является:


1.Uкэ, В

2.Iэ, мА

3.UкэUкэН

4.Iк, мА

5.Iкб0, мА
Ответ: 5

39. Элементом «N» выходной (коллекторной) ВАХ p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общей базой является:


1.Iэ, мА

2. Uкэ, В

3. Iб, мА

4. UкбН, В

5. Iкэ0, мА
Ответ: 1
40. Определите температуры, при которых получены следующие входные ВАХ транзистора.


1. а) t =-40

2. б) t =60

3. в) t =20
Ответ: 1б; 2в; 3а.
41. Устройство, в котором маломощный входной сигнал управляет передачей более мощного сигнала в нагрузку, называется _______________ (9 букв).

1   2   3   4   5   6   7
написать администратору сайта