Главная страница
Медицина
Экономика
Финансы
Биология
Ветеринария
Сельское хозяйство
Юриспруденция
Право
Языкознание
Языки
Логика
Этика
Философия
Религия
Политология
Социология
Физика
История
Информатика
Искусство
Культура
Энергетика
Промышленность
Математика
Вычислительная техника
Химия
Связь
Электротехника
Автоматика
Экология
Геология
Начальные классы
Механика
Строительство
Доп
образование
Воспитательная работа
Русский язык и литература
Другое
Классному руководителю
Дошкольное образование
Казахский язык и лит
Физкультура
Технология
География
Школьному психологу
Иностранные языки
Директору, завучу
Астрономия
Музыка
ОБЖ
Обществознание
Социальному педагогу
Логопедия

Тест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В.). Тест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В. Тесты по электронике


Скачать 15.23 Mb.
НазваниеТесты по электронике
АнкорТест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В.).doc
Дата24.02.2017
Размер15.23 Mb.
Формат файлаdoc
Имя файлаТест С Ответами По Электронике Для Дневников (Волосатова С. В.).doc
ТипТесты
#3069
КатегорияЭлектротехника. Связь. Автоматика
страница1 из 7
  1   2   3   4   5   6   7

Тесты по электронике
1. Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями называется:



1. валентный слой

2. зона контакта

3. фазовый переход

4. p-nпереход

5. запирающий слой

Ответ: 4



2. Диффузионный ток через p-nпереход обусловлен:
1. приложенным внешним электрическим полем

2. влиянием температуры

3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение

4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях

5. отсутствием внешнего электрического поля

Ответ: 4



3. Дрейфовый ток через p-nпереход обусловлен:
1. приложенным внешним электрическим полем

2. влиянием температуры

3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение

4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях

5. отсутствием внешнего электрического поля

Ответ: 1



4. Зона вблизи границы p и n областей, обедненная подвижными основными носителями заряда называется:
1. валентный слой

2. эмиттерный переход

3. запирающий слой

4. зона проводимости

5. фазовый переход

Ответ: 3



5. Напряжение, приложенное к двухслойному диоду, называется прямым, если реализуется подключением:



+
6. Для получения двухслойной структуры p-n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом:
1. Nд >> Nа

2. Nд > Nа

3. Nд = Nа

4. Nд = 0

5. Nд < Nа

Ответ: 1



7. Для получения двухслойной структуры p-n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом:
1. Nд > Nа

2. Nд = Nа

3. Nд << Nа

4. Nа = 0

5. Nд < Nа

Ответ: 3



8. Каждой из трех приведенных потенциальных диаграммp-nперехода соответствует режим, когда:



1

2


3


а) внешнее энергетическое поле отсутствует

б) приложено обратное напряжение

в) приложено прямое напряжение
Ответ: 1а; 2в; 3б.
8. При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-nперехода —
1. расширяется;

2. сужается;

3. не изменяется;

4. расширяется со стороны p-слоя;

5. сужается со стороны n-слоя;
Ответ: 2
9. При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p-nперехода —
1. сужается;

2. не изменяется;

3. расширяется;

4. p-nпереход имеет постоянную ширину;

5. расширяется со стороны n-слоя;
Ответ: 3
10. Диффузионный ток через p-nпереход, достигший равновесного состояния, определяется выражением:

1. Iдиф. = Iдиф. p – Iдрейф. n

2. Iдиф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

3. Iдиф. = Iдиф. p + Iдиф. n

4. Iдиф. = Iдрейф. n – Iдрейф. p

5. Iдиф. = Iдиф. n – Iдрейф. p
Ответ: 3
11. Дрейфовый ток через p-n переход до достижения равновесия определяется выражением:
1. Iдрейф. = Iдрейф. p + Iдрейф. n

2. Iдрейф. = Iдиф. pIдиф. n

3.Iдрейф. = Iдрейф. pIдрейф. n

4.Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

5.Iдрейф. = Iдрейф. n + Iдиф. p
Ответ: 1
12. Для описания равновесного состояния p-nперехода справедливо следующее соотношение:
1. Iдиф. pIдиф. n = Iдрейф. p + Iдрейф. n

2. Iдрейф. p= Iдиф. + Iдрейф. n

3. Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

4. Iдиф. p= Iдрейф. Iдиф. n

5. Iдрейф. = Iдрейф. pIдрейф. n
Ответ: 4
13. Для описания равновесного состояния p-nперехода справедливо следующее соотношение:
1. Iдиф. pIдиф. n = Iдрейф. p + Iдрейф. n

2. Iдрейф. p= Iдиф. + Iдрейф. n

3. Iдрейф. p= Iдиф. Iдрейф. n

4. Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p

5. Iдрейф. = Iдрейф. pIдрейф. n
Ответ: 3
14. Свойство диода пропускать ток, описывается следующим участком его ВАХ:


I

II

III

IV
Ответ: I

15. Для стабилизации напряжения в электронике используется участок ВАХ №:

I

II

+ III

IV
Ответ: III


16. Участок IV на ВАХ полупроводникового диода называется __________(прил.) пробой




  1   2   3   4   5   6   7
написать администратору сайта