Главная страница
Навигация по странице:

  • 3. Выбор принципиальной электрической схемы оконечного каскада и режима работы его транзисторов

  • 4. Расчёт схемы предоконечного каскада

  • 5. Построение схемы электрической принципиальной

  • 6. Распределение заданных частотных искажений по цепям и каскадам усилителя

  • 7. Заключение

  • 8. Список литературы

  • Мостовой УНЧ ПЗ. Курсовой проект 3 Введение 4 Анализ технического задания 6 Построение структурной схемы усилителя 8


    Скачать 0.73 Mb.
    НазваниеКурсовой проект 3 Введение 4 Анализ технического задания 6 Построение структурной схемы усилителя 8
    Дата09.02.2019
    Размер0.73 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаМостовой УНЧ ПЗ.doc.doc
    ТипКурсовой проект
    #67000



    Содержание

    Задание на курсовой проект 3

    Введение 4

    1. Анализ технического задания 6

    2. Построение структурной схемы усилителя 8

    3. Выбор принципиальной электрической схемы

    оконечного каскада и режима работы его транзисторов 11

    4. Расчёт схемы предоконечного каскада 19

    5. Построение схемы электрической принципиальной 23

    6. Распределение заданных частотных искажений по цепям и

    каскадам усилителя 24

    7. Заключение 25

    8. Список литературы 26

    Приложения


    Задание на курсовой проект



    Вариант №1.

    Номинальная выходная мощность на нагрузке РН = 23 Вт.

    Сопротивление нагрузки RH = 10 Ом.

    Диапазон рабочих частот:

    нижняя граничная частота fH = 50 Гц;

    верхняя граничная частота fВ = 4 кГц;

    Амплитуда номинального входного напряжения UBX M = 150 мВ.

    Входное сопротивление усилителя RBX = 160 кОм.

    Напряжение однополярного источника питания ЕП = 36 В.

    Коэффициент частотных искажений:

    на нижней граничной частоте МH ≤ 3 дБ;

    на верхней граничной частоте МВ ≤ 3 дБ;

    Интервал рабочих температур:

    минимальная температура ТМИН = -300С;

    максимальная температура ТМАКС = +500С;

    Введение



    Усилительным устройством, или усилителем, называется устройство, предназначенное для увеличения мощности электрических колебаний (сигналов) различных видов с сохранением их формы. Процесс усиления является частным случаем процесса управления энергией в мощной цепи – выходной цепи усилительного элемента (УЭ) – с помощью небольшой энергии источника (генератора) сигнала, затрачиваемой в управляющей, входной цепи УЭ. В качестве управляющего элемента используются различные УЭ: электронные лампы, полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы, приборы СВЧ–электроники.

    Усилительные устройства находят применение в самых различных областях науки, техники и производства, являясь либо самостоятельными устройствами, либо частью сложных приборов и систем. Они широко используются в радиотехнике, телевидении, в радиосвязи и радиовещании, радиолокации, телеметрии, кинематографии, устройствах записи и воспроизведения звука, дальней проводной связи, измерительной аппаратуре, а также в телемеханике, автоматике, электронно-вычислительных машинах, аппаратуре исследования космического пространства и т.д.

    Техника усиления электрических сигналов непрерывно развивается. Это связано в первую очередь с развитием и совершенствованием радиоэлектроники и микроэлектронных технологий, разработкой новых усилительных приборов. Появление новых полупроводниковых приборов и технологических процессов позволило объединить множество транзисторов, диодов, резисторов в одно устройство – интегральную микросхему (ИМС).

    В тоже время не утратили актуальность и многие проблемы проек­тирования усилителей на дискретных элементах, в которых в качестве усилительного элемента используют транзистор. Умение проектировать усилители на таких элементах позволяет решать многие схемотехнические задачи, возникающие при проектировании и использовании ИМС.

    Усилительноеустройство характеризуется рядом технических по­казателей. В зависимости от того, какие из показателей считают основными, формулируются требования к проектированию усилителей и выбираются способы их технической реализации. К основным показателям обычно относятся: коэффициент усиления, амплитудно- (АЧХ) и фазочастотные (ФЧХ) характеристики, коэффициент нелинейных искажений, уровень помех, чувствительность, устойчивость, входное и выходное сопротивления. Спроектированное устройство должно удовлетворять определенному сочетанию упомянутых показателей. Как правило, требования к этим показателям формулируются в техническом задании (ТЗ) на проектирование.

    1. Анализ технического задания



    Оконечный каскад (OK) выполним на транзисторах. Выберем схему оконечного каскада, учитывая требуемую мощность РН, сопротивление нагрузки RH, напряжение источника питания ЕП.

    Оконечные каскады усилителей мощностью более 0,2 Вт выполняются обычно по двухтактной схеме, обеспечивающей возможность работы транзисторов в режиме В или близком к нему АВ с высоким коэффициентом полезного действия (КПД).

    В настоящее время наибольшее распространение получили бестрансформаторные усилители. Эти усилители имеют гораздо меньшие габаритные размеры и массу, чем трансформаторные. В них отсутствуют частотные и нелинейные искажения, а также потери мощности сигнала, обусловленные работой трансформатора. Однако в таких схемах не всегда удается согласовать выходное сопротивление усилителя с заданным сопротивлением нагрузки. Трансформаторные схемы, в отличие от бестрансформаторных, позволяют практически любую нагрузку преобразовать в оптимальную для данного усилительного каскада и поэтому в некоторых случаях имеют преимущество перед бестрансформаторными.

    Так как в нашем случае задано ЕП, следует проверить возможность получения необходимой мощности в нагрузке при использовании бестрансформаторного оконечною каскада. Для такого каскада амплитуда выходного напряжения UВЫХ М связана с ЕП

    UВЫХ М = ЕП /2 - UНАЧ

    где UНАЧ - начальное (или остаточное) напряжение на транзисторе. На этапе предварительного расчета следует взять UНАЧ = (0,5 - 1)В. Тогда на заданной нагрузке может быть получена мощность:

    РВЫХ = U2ВЫХ М / (2 RH) = (ЕП /2 - UНАЧ)2/(2 RH)=

    =(36/2-1)2/(2·10)=14,45 Вт

    Так как полученная по оценкам РВЫХ меньше требуемого по заданию значения, т.е. РВЫХ < РH следует использовать трансформаторную схему оконечного каскада.

    Но, единственное достоинство трансформаторных оконечных каскадов, получение увеличенной мощности при ограниченном напряжении источника питания решается применением мостовой схемы.

    2. Построение структурной схемы усилителя



    В мостовой схеме два выходных каскада включаются в противофазе и работают на общую нагрузку, которая включается между каскадами (рис. 1).



    Рисунок 1. Мостовая схема оконечного каскада

    Нагрузка может подключаться к мостовой схеме непосредственно даже при однополярном питании, поскольку потенциал покоя обоих выходов одинаков. Таким образом, каждый из каскадов мостовой схемы работает на нагрузку RH/2. Выходное напряжение на нагрузке и ток в нагрузке оказывается вдвое больше, чем напряжение каждого каскада относительно земли. Следовательно, при одном и том же напряжении питания выходная мощность на нагрузке получается в четыре раза большей.

    На рис. 2 поясняется принцип действия мостовой схемы. Когда уровень входного сигнала максимален (первая полуволна на рис. 2), открыт транзистор VT1 и транзисторVT4, управляющийся сигналом, повернутым по фазе на 180°, т.е. всё напряжение питания, приложено к нагрузке. В следующий момент времени (вторая полуволна) при максимальном значении сигнала открыты транзисторы VT2 иVT3, иными словами, к нагрузке опять приложено все напряжение питания, но другими полюсами, что приводит к изменению направления протекающего тока на противоположное.



    Рисунок 2. Мостовая схема оконечного каскада
    Рассмотрим основные виды мостовых схем: мостовая схема последовательного возбуждения (рис. 3, а) и её модификация (рис. 3, б).



    а



    б

    Рисунок 3. Мостовые схемы последовательного возбуждения

    Недостатком приведенных схем является то, что на инвертирующие усилители сигнал подается с искажениями, которые вносит предшествующий неинвертирующий усилитель. Этого недостатка лишена мостовая схема с параллельным способом подключения сигнала (рис. 4).



    Рисунок 4. Мостовая схема с параллельным способом подключения сигнала
    Здесь, оба плеча мостовой схемы получают сигнал одновременно. ОУ1 работает как неинвертирующий, ОУ2 – как инвертирующий. Применим данное построение входных каскадов мостовой схемы.

    Между выходами ОУ и нагрузкой включим оконечный каскад. Мощность снимаемая с каждого плеча моста в два раза меньше требуемой, то есть равна РН = 23/2 =11,5 Вт.
    3. Выбор принципиальной электрической схемы оконечного каскада и режима работы его транзисторов
    Выходной оконечный каскад - применим двухтактный, выполненный на составных транзисторах. Составные транзисторы нужны для обеспечения большого усиления по току, чтобы в качестве предоконечного каскада можно было использовать однотактный резисторный каскад, с непосредственной связью между каскадами (рис. 5). Для транзисторов VT1, VT2 и VT3, VT4 будет использован режим работы АВ.



    Рисунок 5. Схема оконечного каскада


    . ••
    Проведем выбор транзисторов VT3, VT4.

    Значение максимально-допустимой мощности рассеянии на коллекторе при максимальной рабочей температуре (ТМАКС = +500С) должно удовлетворять условию:

    РК.ДОП ≥ 0,4·РН = 0,4·11,5 = 4,6 Вт.

    Оценим амплитудные значения напряжения между выходными электродами транзистора VT3 (UКЭМ3) и коллекторного тока IКМ3 (ток коллектора считаем примерно равным току эмиттера):



    Тогда необходимые максимальные значения напряжения и тока транзистора VT3 (VT4) должны удовлетворять условиям:

    UКЭДОП3 ≥ 1,2 ЕП = 1,2·36 = 43,2В

    IКДОП3 ≥ 1,2 IКМ3 = 1,2·2,2 = 2,64А

    Определим требование к транзисторам по предельной частоте коэффициента усиления тока:



    В соответствии с полученными значениями максимально допустимых параметров в качестве VT3 и VT4 выбираем комплементарную пару транзисторов КТ817Б (п-р-п) и КТ816Б (p-n-р).

    Их максимально допустимые параметры:

    постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Т=+50°С равна РКДОП = 18 Вт,

    постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭДОП = 50 В,

    постоянный ток коллектора IКДОП = 3 А;

    коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h21Э ≥ 20;

    граничная частота коэффициента передачи fГР = 3 МГц



    По выходным статическим характеристикам (рис. 6) транзистора КТ 816 Б (VT4) оценим величину UНАЧ, соответствующую IКМ4 = IКМ4 =2,2 А (ток коллектора считаем приблизительно равным току эмиттера). Согласно рис. 6.

    UНАЧ = 0,7В

    Напряжение между выходными электродами транзистора VT4 в точке покоя: UКЭ04 = UКЭМ3 + UНАЧ = 10,7 + 0,7 = 11,4 В.

    Построим нагрузочную прямую переменного тока плеча каскада по точкам A(ЕП/2;0) и В(0;ЕП/2RH) (рис. 6).

    Здесь ЕП/2 = 36/2 = 18В;

    ЕП/2RH = 36/(2·10) = 1,8А,



    Рисунок 6. Семейство выходных статических ВАХ транзистора КТ816Б.

    Нагрузочная прямая плеча каскада на VT3 и VT4

    Выберем положение точки покоя VT4. Значение тока покоя для режима АВ должно удовлетворять условию:

    IК04 / IКМ3 = 0,05 - 0,3

    Возьмем IК04 ≈ 0,09· IКМ3 = 0,09·2,2 = 0,2А. Этому значению IК04 соответствует, согласно рис. 6, ток смещения базы IБ04 = 2 мА.

    По входной характеристике транзистора VT4 (рис. 7) найдем значение напряжения смещения UБЭ04, соответствующее IБ04 = 2 мА; UБЭ04 = 0,74В.

    Максимальный ток коллектора VT4:

    IКМАКС3 = IКМ3 + IК04 = 2,2 + 0,2 = 2,4 А.

    Максимальный ток базы, соответствующий IКМАКС3, согласно рис. 6, есть IБМАКС3 = 180 мА.

    По входной ВАХ транзистора VT4 (рис. 7) находим UБЭМАКС4, соответствующее IБМАКС3; UБЭМАКС4 ≈ 1 В.

    Рисунок 7. Входная ВАХ транзистора КТ816Б.

    Вычислим для транзистора VT4 амплитуду тока базы IБМ3 и амплитуду напряжения между базой и эмиттером UБЭМ4

    IБМ3 = IБМАКС3 - IБ04 = 180 - 2 = 178 мА,

    UБЭМ4 = UБЭМАКС4 - UБЭ04 =1 - 0,74 = 0,26 В.

    Вычислим амплитуду входного напряжения каскада на транзисторах VT3, VT4.

    UВХМ4 = UБЭМ4 + UН = 0,26 + 10,7 = 11В.

    Входное сопротивление плеча каскада на VT3, VT4.

    RВХ4 = UВХМ4 / IБМ3 = 11 / 0,178 = 61,6 Ом.

    Определим сопротивление резисторов R1, R2 (рис. 5), исходя из условия:

    R1 = R2 = (3-5) RВХ4 = 4·61,6 = 246,3 Ом.

    Выберем из стандартного ряда сопротивлений Rl = R2 = 240 Ом.

    Оценим мощность рассеяния на резисторе R1 и R2

    PR1 = U2БЭ04/Rl = 0,742/240 = 2,3 мВт

    Вычислим амплитуду тока через резистор R1 и R2

    IR1 = UБЭМ4/Rl = 0,26/240 = 1,1 мА

    Выберем транзисторы VT1, VT2. Они также представляют собой комплементарную пару и работают в режиме АВ.

    Для оценки требуемых максимально допустимых параметров транзисторов найдем приблизительные значения входного тока, входного напряжения, входной мощности и каскада на VT3, VT4.

    IВХМ(1,2) ≈ IКМ3 / h21Э = 2,2 / 20 = 0,11А

    UВХМ(1,2) ≈ UКЭМ3 = 10,7В

    РВХМ(1,2) ≈ РН / h21Э = 11,5/20 = 0,575Вт

    Тогда необходимые максимальные параметры транзисторов:

    РК.ДОП(1,2) ≥ 0,4· РВХМ(1,2) = 0,4·0,575 = 0,23 Вт.

    UКЭДОП(1,2) ≥ 1,2 ЕП = 1,2·36 = 43,2В

    IКДОП(1,2) ≥ 1,2 IВХМ(1,2) = 1,2·0,11 = 0,132А

    Требования по предельной частоте те же, что для VT3, VT4.

    Выбираем в качестве VT1 и VT2 транзисторы КТ815Б(п-р-п) и КТ814Б (p-n-р).

    Их максимально допустимые параметры:

    постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом при Т=+50°С равна РКДОП = 7,5 Вт,

    постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭДОП = 50 В,

    постоянный ток коллектора IКДОП = 1,5 А;

    статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

    h21Э ≥ 40;

    граничная частота коэффициента передачи fГР = 3 МГц



    Оценим сопротивление нагрузки RН12 плеча каскада на VT1, VT2.

    RН12 = UВХМ4/(IR1 + IБМ3) = 11/(1,1 + 178)10-3 = 61,4 Ом

    Амплитуда тока выходного электрода транзистора VT1

    IКМ1 = IБМ3 + IR1 = 178 + 1,1 = 179,1 мА.

    Определим значении токов и напряжений в точке покоя транзистора VT2 КТ 815 Б

    IК01 = IБ03 + UБЭМ4/Rl = 2·10-3 + 0,74/240 = 5,1 мА.

    UКЭ01 = ЕБ /2 - UБЭ03 = 36/2 - 0,74 = 17,26 В.

    IБ01 = IК01/h21Э1 = 5,1/40 = 0,1275 мА.

    Здесь взято h21Э1 = 40 для транзистора КТ 815 Б.

    Напряжение смещения UБЭ01 находим по входной ВАХ транзистора КТ 814 Б (рис. 8) для IБ01 = 0,1275 мА. Согласно рис. 8, UБЭ01 = 0,62 В.

    Амплитуда тока базы VT1:

    IБМ1 = IКМ1/h21Э1 = 179,1/40 = 4,47 мА

    Максимальное значение тока коллектора VT1:

    IКМАКС1 = IКМ1 + IК01 = 179,1 + 5,1 = 184,2 мА



    Рисунок 8. Входная ВАХ транзистора КТ815Б.
    Максимальный ток базы VT1:

    IБМАКС1 = IБМ1 + IБ01 = 4,47 + 0,1275 = 4,6 мА

    Максимальное значение напряжения между базой и эмиттером VT1 UБЭМАКС1 найдем по входной характеристике VT1 (рис. 8): UБЭМАКС1 = 0,8В.

    Амплитуда напряжения между базой и эмиттером VT1:

    UБЭМ1 = UБЭМАКС1 + UБЭ01 = 0,8 - 0,62 = 0,18 В.

    Амплитуда напряжения на входе каскада на VT1, VT2:

    UВХМ1 = UБЭМ1 + UБЭМ4 + UН = 0,18 + 0,26 + 10,7 = 11,14 В.

    Входное сопротивление плеча каскада на VT1, VT2.

    RВХ1 = UВХМ1 / IБМ1 = 11,14 / 4,47 = 2,5 кОм.

    Входная мощность оконечного каскада на составных транзисторах VT1-VT4:

    РВХ.ОК = UВХМ1 IБМ1 /2 = 11,14 4,47/2 = 24,9 мВт.

    Оценим коэффициенты усиления оконечного каскада по току КIOK, напряжению КUOK, мощности КPOK:

    КIOK = IН/IБМ1 = 2,2/4,47·10-3 = 492

    КUOK = UН/UВХМ1 = 10,7/11,14 = 0,96

    КPOK = РНВХ.ОК = 11,5/24,9·10-3 = 462

    Определим сопротивление резистора R3 (рис. 5):



    В соответствии со стандартным рядом сопротивлений выбираем

    R3=1,2 кОм.

    Вычислим амплитуду тока сигнала через резистор R3:

    IR3 = UВХМ1/R3 = 11,14/1200 = 9,3 мА

    Выберем диод VD в схеме на рис. 5. Для этого оценим действующее на диоде напряжение смещения UД и протекающий через диод прямой ток IД

    UД = 2(UБЭ01 + UБЭ03) = 2(0,62+0,74) = 2,72 В

    IД = IR3 - IБ01 = 9,3 - 0,1275 = 9,2 мА

    Для выбираемого диода максимально допустимый выпрямленный ток IПР ДОП и максимально прямое напряжение UПР ДОП должны удовлетворять следующим условиям

    UПР ДОП ≥ UД = 2,72 В

    IПР ДОП ≥ IД = 9,2 мА

    Будем использовать в качестве VD четыре последовательно включенных диода КД104А. При этом на одном диоде будет напряжение

    UI Д = UД/4= 2,72/4 = 0,68 В

    Вольт-амперная характеристика диода КД104А представлена на рис. 9. Для диода КД104А UПР ДОП = 2 В, IПР ДОП = 240 мА.

    Согласно ВАХ, UI Д = 0,68 В соответствует ток IД = 9,2 мА.



    Рисунок 9. Вольт-амперная характеристика диода КД104А

    4. Расчёт схемы предоконечного каскада
    При выборе ОУ обязательными требованиями является напряжение питания в диапазоне 15-18 В, для обеспечения требуемого размаха входного напряжения UВХМ1 = 11,14В и достаточно большой выходной ток усилителя.

    С учётом данных требований выберем ОУ типа К157УД1.

    Для питания ОУ применим простейшие компенсационные стабилизаторы на стабилитронах, например типа КС515А, с напряжением стабилизации UСТ = 15В и максимальным током IСТ = 53 мА.

    Балластный резистор выберем номиналом

    Rb = (EП-UСТ)/Ib = (18-15)/30 = 100 Ом

    Здесь Ib = 30 мА, ток через балластный резистор, который меньше максимального тока стабилизации стабилитрона, но больше потребляемого тока ОУ.

    При однополярном питании, заземлённые входа ОУ необходимо подключить к искусственной "земле" - потенциалу равному половине питания. Тогда на выходах ОУ, также будет половина питания и их можно гальванически, без переходных конденсаторов подключить ко входу оконечного каскада. Для ОУ2 такой искусственной "землёй" будет являться точка соединения стабилитронов VD3 и VD4. Вывод 9 ОУ1 нельзя подключить к точке соединения стабилитронов VD1 и VD2, так как этот вход является и сигнальным. Для исключения шунтирования входа низким сопротивлением стабилитронов, его необходимо подключить через высокоомное сопротивление, например 33 КОм.

    Номиналы элементов цепей коррекции ОУ примем указанным в справочном листке.

    В схеме, изображенной на рисунке 4, ОУ1 работает как неинвертирующий, ОУ2 – как инвертирующий. Коэффициенты усиления усилителей определяются элементами R11, R21, С21 и R12, R22, С22.

    , ,

    где Z21 – импеданс цепи R21, С21.

    Z22 – импеданс цепи R22, С22.

    Задаваясь значениями элементов R11, R21, С21, R12, R22, С22 можно получить любое значение.

    Оценим общий коэффициент усиления по напряжению всего усилителя.

    Рассчитаем значения элементов R5, R3, С2, R10, R2, С1 для обеспечения требуемого коэффициента усиления по напряжению:





    На средних частотах, когда сопротивление емкостей С1 и С2 будет много меньше величин резисторов R2 и R3, соответственно, получим:








    5. Построение схемы электрической принципиальной
    Построим принципиальную электрическую схему усилителя (Приложение 1). Здесь С1, С2, С9, С10 - разделительные конденсаторы. Элементы R6, С3, С4, С5 и R11, С6, С7, С8 цепи коррекции ОУ1 и ОУ2, соответственно.

    Для стабилизации рабочего режима транзисторов оконечного каскада используются диоды VD5- VD12. RН - сопротивление нагрузки.

    Цепи VD1, R4 и VD2, R8 и VD3, R9 и VD4, R13 - параметрические стабилизаторы напряжения.

    6. Распределение заданных частотных искажений по цепям и каскадам усилителя
    Распределим заданные на весь усилитель частотные искажения на нижней рабочей частоте Мн < 3 дБ по отдельным цепям, вносящим эти искажения, согласно таблицы:

    Наименование цепей каскадов

    Мн, дБ

    Цепочка связи CR на входе

    0,2-0,6

    Цепочка связи CR на выходе

    0,4-1,5

    Распределим частотные искажения на нижней рабочей частоте следующим образом: на цепочки связи CR на входе с конденсаторами С1, С2 отводим по 0,3 дБ; на цепочки связи CR на выходе с конденсаторами С9, С10 отводим по 1,2 дБ;

    Суммарный коэффициент частотных искажений составит при этом

    Мн = 3 дБ.

    Оценим величину емкости разделительного конденсатора на выходе каскада, если нижняя граничная частота рабочего диапазона усилителя fH = 50 Гц, коэффициент частотных искажений на нижней частоте, отведенный на емкости С9 и С10 МНС9 = МНС10 = 1,2 дБ, в относительных единицах МНС9 = МНС10 = 1,148. Тогда



    Выбираем из стандартного ряда C9=С10=2000 мкФ.

    Коэффициент частотных искажений на нижней частоте, отведенный на емкости С1 и С2 МНС1 = МНС2 = 0,3 дБ, в относительных единицах МНС1 = МНС2 = 1,035. Из уравнений для коэффициента усиления ОУ1 и ОУ2 получим значения емкостей С1 и С2, при которых коэффициент падает в 1,035 раза по сравнению со средними частотами.

    Получим С1=С2=10 мкФ.

    7. Заключение
    При заданном ограниченном напряжении источника питания, вместо традиционного решения - применение трансформаторного каскада, было принято решение - применить мостовую схему.

    Из всей гаммы мостовых схем была выбрана схема с параллельным способом подключения сигнала, в которой входной сигнал подаётся одновременно на инвертирующий и неинвертирующий усилители. Данные усилители спроектированы на основе ОУ. Данное решение позволило подключить их ко входу оконечного каскада гальванически, без переходных конденсаторов. Но для раскачки оконечного каскада необходим ОУ с большим выходным током, поэтому был выбран ОУ типа К157УД1.

    Между выходами ОУ и нагрузкой включен оконечный каскад, выполненный по бестрансформаторной схеме на составных комплементарных транзисторах. Мощность снимаемая с каждого плеча моста в два раза меньше требуемой.

    Для термостабилизации рабочей точки выходных транзисторов используются четыре последовательно включенных диода КД104А. Выбор именно кремниевых диодов обусловлен тем, что и выходные транзисторы также кремниевые.

    Для питания ОУ применены простейшие компенсационные стабилизаторы на стабилитронах. Цепи коррекции ОУ1 и ОУ2, стандартные.

    Частотные искажения на нижней рабочей частоте на цепочки связи CR на входе и на выходе распределены неравномерно, с учетом рекомендаций, чтобы величины конденсаторов были как можно меньше.

    В целом рассчитанный усилитель соответствует техническому заданию.

    8. Список литературы
    1. Короткова Т.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Учебно-методическое пособие, Воронеж 2013г.

    2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. Учебник для ВУЗов. М., Высшая школа, 2004.

    3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под редакцией Б.Л. Перельмана. М., Радио и связь, 1981.

    4. Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. Транзисторы биполярные и полевые, диоды, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочное пособие. М., Солон-Р, 2000.

    5. Четвертков, И.И.; Терехов, В.М. Резисторы: Справочник. М., Радио и связь; Издание 2-е, перераб. и доп. 1991.

    6. Горячева Г.А.; Добромыслов Е.Р. Конденсаторы: Справочник. М., Радио и связь; 1984.

    написать администратору сайта